10月16日，国家安全部微信公众号发文称，近年来，随着国家安全机关加大对非法测绘活动的打击力度，部分境外组织逐步转向与国内企业开展所谓项目合作逃避监管，非法采集我国原始测绘数据，威胁我国家安全。

10月14日，天风国际分析师郭明錤发文称，高通旗舰芯片骁龙 8 Gen 4 在 2024 年下半年出货量预估为 900 万颗，相比较骁龙 8 Gen 3 出货量同比增长50%；单价至 180 美元，涨幅 15%。

In the datasheet, it says from -17.5V to 0.3V (section 6.1 ... The GND2 pin is designed to connect to either a FET source or the IGBT emitter, mostly so that the UVLO can trigger if VCC2 enters a ...

hFzednc 热导率（W/cm*K） 4.9 1.5 SiC MOSEFT是单极性器件，没有拖尾电流，开关速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率（比如20kHz或以上），可以有效减小电机的噪音，提高电机系统的响应速度和动态抗干扰能力。

Data Sheet is a free, daily Fortune newsletter that decodes the day’s most pressing news about the business of technology. Each weekday, Fortune Brainstorm editorial director Andrew Nusca and ...

Hello, can i use UCC21520 to drive HV(600V) MOS? If it cannot work, could you pls promote a suitable device? Thanks a lot!

压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷 ...

即使是在极限电流下运行（比如快充时，压缩机给电池散热），有效值接近20A，在电流的整个正弦波周期内，SiC MOSEFT的开通损耗也不比IGBT差。 图3： SiC 和IGBT 开通特性对比 开关损耗方面，SiC MOSEFT优势明显，虽然规格书的测试条件有一些差异，但可以看出SiC ...