综上所述，晶芯成在半导体领域的最新专利不仅是公司技术发展的重要里程碑，也为整个行业带来了新的思考与机遇。随着CMOS技术的不断优化，我们有理由期待在不久的将来，能够看到更加高效、智能的设备出现在日常生活中，这将深刻影响我们的工作和生活方式，推动各行各业的转型与升级。

在半导体技术迅速发展的今天，晶芯成（北京）科技有限公司近日申请了一项 új专利，名为“半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件”。这一专利的申请无疑将为CMOS器件的性能提升注入新的动力。根据国家知识产权局的信息，这项专利在2024年12月正式提交，公开号为CN119364836A，涉及了多个关键技术细节，展示了晶芯成在半导体领域的创新能力。

TC1054 是旧型（双极）低压差稳压器的高精度（通常为 ±0.5%）CMOS 升级版。该器件的 CMOS 结构专为电池供电系统而设计，可最大限度地减少接地电流，从而延长电池寿命 欢迎加入EEWorld参考设计群，也许能碰到搞同一个设计的小伙伴，群聊设计经验和难点。

许久年前,PIC16C5x 刚出产一两年,(PICxxxx 原先只有165x,属于 NMOS 结构,大量用于 通用-GI 的选台器、有线电视解锁器,后来改为 CMOS 结构,更名为16C5x),当时只有 16C54、55、56、57 四个型号,仿真器只有 顶尖公司 制造的 16C5x DOS版仿真器(第一代),它也是 Microchip 第一个 OEM 仿真 ...

35mm全画幅感光元件技术再次迎来突破！佳能今天宣布开发出全球最 高像素的全画幅CMOS感光元件，达到了4.1亿像素，远超当前主流感光元件的水平。即使在搭配机身防抖系统的高解析度拍摄模式下，对于佳能这次的新技术而言，也不过是小菜一碟。佳能表示，这款感光元件目前主要应用于监控、医疗、工业等领域。

一般来说，超高像素 CMOS 传感器的尺寸通常为中画幅或更大 ... 这款产品采用了先进的背照堆叠式设计，并通过优化像素和信号处理结构设计，实现了每秒 32.8 亿像素的超快读取速度（全像素 8FPS）。 其他方面，这款产品还支持四像素合一，从而提高感光度 ...

本发明公开一种超小型图像采集处理系统封装结构及制备方法，包括：光学镀膜玻璃，第一表面设有保护膜，第二表面四周围堰连接CMOS芯片第一表面；CMOS芯片的第一表面设有感光及微镜头区域及金属键合焊盘，第二表面刻蚀硅通孔直至延伸至第一表面金属键合 ...

显然，手机多摄与高像素主摄渗透率的持续提升成为国产CIS厂商业绩复苏的一个重要原因。事实上，经过多年的技术积累和研发投入，本土厂商已经在主流50MP大底CIS产品方面实现突破，韦尔股份也迎来挑战索尼、三星的历史机遇。

颠覆性设计与技术 佳能的这款传感器采用了先进的背照堆叠式设计，即在传统CMOS传感器基础上，对像素结构和信号处理进行了创新优化。这种设计 ...

佳能今日宣布了一项重大技术突破，成功开发出具有4.1亿像素（24592 x 16704）的全画幅背照堆叠式CMOS传感器。这一创新成果不仅刷新了35mm全画幅相机的像素纪录，更为监控、医学和工业等高分辨率需求领域带来了全新的解决方案。