中科长光精拓的专利涉及一项新型的封装方法，具体包括使用承载膜和铜箔的卷状上料方式，随后复合与蚀刻形成铜片。这些铜片将被加工成预设的铜桥形状，并与功率器件的基板进行贴合，这一过程显著优化了生产工艺，降低了制造成本。

2025年1月27日，深圳市鹏芯威电子有限公司的最新专利引起了业界的广泛关注。这项名为“一种带有绝缘保护结构的IGBT模块”的专利，目的在于有效防止电流外泄，从而提升电流安全性和设备的稳定性。这一创新设计不仅展示了鹏芯威在电力电子领域的研发实力，也为 ...

科瑞技术在IGBT功率半导体和智慧工厂领域的创新与发展，不仅展示了其强大的技术能力和市场竞争力，同时也为半导体行业的革新指明了方向。随着订单的大幅增长，未来科瑞技术将继续引领行业潮流，为中国制造注入新的活力。

To provide system designers with a wide range of power solutions, Microchip Technology offers its portfolio of insulated-gate bipolar transistor (IGBT) 7 devices in different packages, multiple ...

Infineon Technologies just launched new isolated gate driver ICs, hence expanding the RiceDRIVER family. These new drivers are built to work with both IGBT and SiC technologies, making them ideal for ...

在电力半导体领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借其优越的性能，正在成为推动产业进步的关键力量。本文将详细解读2025年中国IGBT驱动器行业的发展历程、政策支持及下游应用分析，为业内人士提供重要参考。

TOKYO, January 14, 2025--(BUSINESS WIRE)--Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that beginning February 15 it will provide samples of its new LV100-type 1.2-kV IGBT module as ...