近年来，碳化硅 (SiC)技术已经得到不断完善，并成为在电动化、马达驱动等高频开关应用中的重要推动力量。 SemiQ公司宣布推出第三代SiC技术产品——QSiC 1200V MOSFET ...

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：贵司碳化硅功率器件一直在验收，一直未通过。具体送货给哪些公司，现在是什么进度？ 三安光电（600703.SH）2月17日在投资者互动平台表示，湖南三安针对工业级市场，包含光伏、充电桩、工业电源等的1200V ...

在硅电源设备中，高电流的快速中断引入了触发寄生虫或晶闸管的风险，这导致无法控制的闩锁和终失败。在SIC设备上，一个非常快速的关闭可能会导致每个芯片中的雪崩崩溃，直到Snubber或夹具吸收高能量为止。 Microchip的MSIC ...

这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势 【2025年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的 ...

在半导体技术迅速发展的今天，合适的散热设计成为了各类电子器件能否良好运作的关键。近日，深圳佳恩功率半导体有限公司成功获得一种名为"新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构"的专利，此消息引发了广泛关注，并为半导体行业的前景增添了新动力。根据国家知识产权局的信息，专利授权公告号CN222320246U，申请日期为2024年5月。 一项具有里程碑意义的专利 该新型SIC-MOSFET结构的设计极具创 ...

据研究机构预测，碳化硅市场的规模将在未来几年迅速扩大。2023年碳化硅市场的总产值估计达到20亿美元，预计2025年将翻倍。新洁能的产品发布正是切入这一快速膨胀市场的契机，带来了丰富的市场想象空间。在电动汽车充电基础设施建设及可再生能源并网中，SiC MOSFET的应用将推动整体产业的技术水平提升，进而增强企业的竞争力。

通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...

全球汽车市场需求疲软、地缘政治风险加剧，以及中国本土SiC产业链的崛起，使得国际SiC巨头们面临着前所未有的挑战。向8英寸晶圆转型是他们保持竞争力的关键。面对中国SiC企业在6英寸晶圆上取得的进展和价格优势，欧美厂商必须在技术上持续领先，才能在激烈的 ...

近日，从金融界获悉，深圳佳恩功率半导体有限公司成功获得了一项突破性专利，名为“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”，专利公告号为CN222320246U。这项专利是在2024年5月申请的，旨在重塑SIC-MOSFET技术领域。

盖世汽车讯 据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V SiC ...

Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持 整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展 ...