Silicon power electronic devices such as IGBTs and MOSFETs can also be controlled via the gate. Here less speed is required, e.g. 120 MHz arbitrary waveform generation is adequate. Therefore, it can ...

去饱和保护功能提供对外部功率开关二极体的超载和短路保护，透过使用外部电阻调整功率开关二极体的关断策略，调整关断速度以最大限度地提升保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。

近日，东微半导（688261）宣布获得一项重要的发明专利授权，专利名称为“IGBT器件”，专利申请号为CN202111561080.4，授权日期为2024年12月24日。这项技术的获得标志着东微半导在半导体功率器件领域的持续创新与发展，尤其是在IGB ...