近日，苏州华太电子技术股份有限公司获得了一项名为“一种IGBT器件”的专利，授权公告号为CN116469911B。这项专利的申请提交日期为2022年9月，标志着该公司在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术领域的创新迈出了重要一步。随着全球对高效能电子元 ...

在2024年10月11日，IGBT概念板块遭遇了显著的市场波动，跌幅达6%。这一现象引发了投资者的广泛关注和担忧，不少人纷纷询问：IGBT是什么？为何会出现如此大幅的下跌？本文将深入探讨IGBT的市场背景、行业前景，以及造成此次剧烈波动的潜在原因，希望为读者提供更全面的理解。

在电动压缩机应用中，需要应对下桥和三路上桥的电源需求，增加负电源并不容易。针对这种情况，推荐使用自身可产生负压，带有desat保护，欠电压保护UVLO以及过热保护功能的专用SiC MOSEFT驱动芯片NCV51705。

三相维也纳PFC 是一种 三电平PWM整流器拓扑 ...

Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC ...

宏微科技近期在功率半导体领域推出其第七代IGBT芯片，这款芯片以其卓越的性能和创新技术迅速引起行业关注。作为国内首家率先实现IGBT芯片产业化的企业，宏微科技正致力于在新能源发电和新能源汽车等市场中扩展其业务版图。在全球对功率半导体需求不断增长的背景下，该芯片的推出无疑将为公司带来新的发展机遇。

BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的 ...

金融界 2024 年 10 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，深蓝汽车南京研究院有限公司申请一项名为“一种电机主动短路控制方法、装置、系统、车辆及电机”的专利，公开号 CN 118763924 A，申请日期为 2024 年 9 月。

基本半导体混合SiC功率模块 Hybrid SiC Module主要特点： 1.与普通IGBT模块相比，混合SiC模块可大幅降低FRD的开关损耗与 IGBT 的开通损耗，有助于电力电子设备的降低功率损耗。不同应用条件下总损耗可以 降低20~40%。相对全SiC模块，性价比更高。 2.可以显著提高功率 ...

一位业内消息人士周二表示，德国汽车供应商 ZF (ZFF.UL，采埃孚)打算退出与美国芯片制造商 Wolfspeed (WOLF.N)计划的价值30亿美元 (约213.68亿元人民币)的微芯片制造项目。 消息人士表示，在此之前，由于半导体需求弱于预期 ...

10月22日消息，英伟达股价周一继续飙升，创下新的历史高点。该股收涨 4.14%，至 143.71 美元，总市值一举突破 3.525 万亿美元大关，逼近全球市值第一的苹果公司，后者目前市值约为 3.596 万亿美元。英伟达股价今年迄今已上涨 ...

10月22日，台基股份收盘上涨19.96%，报44.17元/股，盘中最高触及44.18元，股价创历史新高。资金流向方面，近5日内该股资金总体呈流出状态，低于行业平均水平，5日共流出-73157.13万元。资料显示，湖北台基半导体股份有限公司专注于功率半导体芯片及器件的研发、制造、销售及服务。公司主要产品为功率晶闸管、整流管、IGBT、 ...