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9 天
无助焊剂技术革新:HBM4内存引领半导体封装新潮流
在当前半导体行业的竞争中,内存技术的进步尤为重要。最近,三星电子、SK海力士和美光等巨头公司正在积极探索在下一代HBM4(高带宽内存)中应用无助焊剂键合技术。这一技术的引入,有望在未来的半导体封装工艺中解决许多传统焊接方式面临的挑战。无助焊剂技术不仅能够改善DRAMDie的堆叠结构,而且可能会显著提高内存的性能和可靠性。 HBM4内存的最大特点是其更高的层数设计,信息表明新一代产品将转向16层堆叠 ...
10 天
无助焊剂键合:内存厂商探索HBM4新技术的前沿之路
在内存技术飞速发展的今天,各大内存制造商正在积极探索新的生产工艺,以满足日益增长的市场需求。根据韩国媒体ETNews的最新报道,三星电子、SK海力士和美光等行业巨头正集中力量推广无助焊剂键合技术,旨在为下一代高带宽内存HBM4的制造提供支持。HBM4以更多的DRAM Die层而著称,相应地对层间间隙的压缩提出了更高的要求,确保整体堆栈高度在775微米的限制之内。 目前,HBM内存的生产大多依赖传统 ...
9 天
无助焊剂键合技术助力HBM4内存革新,市场竞争格局或迎巨变
作为业界首个引入无助焊剂键合技术的解决方案,HBM4内存以其多层次的DRAM设计而著称。当前流行的HBM键合工艺虽能提供良好的性能,但助焊剂的残留却成为了制约内存层间间隙的重要因素。无助焊剂键合技术则通过消除助焊剂的使用,直接减少了Die间的间隙,从而有望显著提升内存的堆栈密度。这一创新在技术层面上的突破,不仅为厂商减少了生产中的变数,也为未来高性能计算应用开辟了新的方向。
腾讯网
9 天
钛媒体科股早知道:多家巨头正在进行技术准备,下代HBM4内存中或 ...
必读要闻一:华为(深圳)全球具身智能产业创新中心将启动运营11月15日,深圳前海、宝安将举行人工智能应用创新成果发布会。届时,华为(深圳)全球具身智能产业创新中心将启动运营,并举行优选伙伴签约仪式。2022年,华为首次涉足人形机器人,2024年6月, ...
来自MSN
10 天
内存大厂新动向:HBM4或采用无助焊剂键合技术,层间间隙有望进一步 ...
近日,据韩国科技新闻网站ETNews披露,三星电子、SK海力士及美光科技均对在即将推出的HBM4内存中采用新型的无助焊剂键合技术展现出了浓厚兴趣,并已着手进行相关技术储备。
新浪网
10 天
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合,进一步降低层间间隙
IT之家 11 月 14 日消息,据韩媒 ETNews 报道,三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合(Fluxless Bonding)技术抱有兴趣 ...
腾讯网
18 天
大西洋连续3个交易日上涨,期间累计涨幅4.17%
11月6日收盘,大西洋报4.25元,连续3个交易日上涨,期间累计涨幅4.17%,累计换手率6.76%。资金流向方面,近5日内该股资金总体呈流出状态,低于行业平均水平,5日共流出-4202.26万元。资料显示,四川大西洋焊接材料股份有限公司主营业务为焊条、焊丝、焊剂等焊接材料产品的研发、生产和销售。公司主要产品涵盖焊条、焊丝(包 ...
9 天
on MSN
内存厂商积极探索新技术:无助焊剂键合有望助力HBM4降低层间间隙
【ITBEAR】在内存技术领域,一项革新性技术正悄然酝酿。据韩国媒体ETNews近期披露,业界领先的内存制造商如三星电子、SK海力士以及美光,正着眼于采纳无助焊剂键合技术,以将其应用于下一代高性能内存HBM4的生产中。 HBM4 ...
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