HgCdTe

网络碲镉汞；汞镉碲；碲镉汞探测器

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1.	碲镉汞碲镉汞致冷技术与性能多无碲镉汞（HgCdTe）是用途较多的探测器之一。HgCdTe探测器具有宽动态范围，可在大多数红外应 … www.showxiu.com\|基于542个网页
2.	汞镉碲，它使用二维汞镉碲(HgCdTe)探测器阵列测量太阳光反射能量。超光谱成像仪月球碰撞探测器月船一号月球激光测距仪微型 … baike.baidu.com\|基于39个网页
3.	碲镉汞探测器碲镉汞探测器（HgCdTe）———液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22μm。主要特点：有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两 … baike.baidu.com\|基于24个网页

4.	碲化汞镉 (3) 任何纯度的碲化汞镉(HgCdTe)； (2004年第65号法律公告)技术注释：(1) 体积大於100立方厘米；或(2) 直径大於80毫米且 … www.legislation.gov.hk\|基于14个网页
5.	碲隔汞 ...致冷的光量子型器件(在低温77K附近工作)，其中以碲隔汞(HgCdTe) 器件(工作在3～5um或8～14um 波段) 和锑化铟( InSb) … blog.sina.com.cn\|基于7个网页
6.	碲铬汞激光对碲铬汞(HgCdTe)图像传感器的干扰和损伤现象进行了实验研究，分析了干扰和损伤机理。探测器上激光能量密度小于25… www.opticsjournal.net\|基于7个网页

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Step-temperature baking experiments are carried out on HgCdTe short wavelength diodes which work at room temperature .

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验。

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The drive force of phase change for HgCdTe growth during recrystallization is briefly described.

简述了再结晶过程中晶粒长大的相变驱动力。

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The response characters of the middle -waveHgCdTe detector to the irradiation of laser are studied in details.

本文较为系统地研究了中波 HgCdTe 红外探测器对于激光的响应特性。

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Effects of Boron Implanted Dose on the Diffusion Length of Minority Carriers in HgCdTe n-on-p Junction

HgCdTe 器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究

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Study of Structural Effects of Defects in CdZnTe Substrate on HgCdTe Thin Film Grown by Liquid Phase Epitaxy

碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响

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Temperature-dependent absorption spectra investigation of shallow levels in HgCdTe grown by liquid phase epitaxy

变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级

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Dark Current Mechanism of HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by Different Structure

不同钝化结构的 HgCdTe 光伏探测器暗电流机制

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Effects of photocurrent multiplication in HgCdTe photodiodes at high temperature target

碲镉汞探测器在高温目标下的光电倍增效应

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Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction

垂直 p-n 结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

service.ilib.cn

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