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GaAs
网络
砷化镓;砷化钾;砷化稼
网络释义
1.
砷化镓
砷化镓
(
gaas
)iii-v化合物电池的转换效率可达28%,gaas化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能 …
wenba.ddmap.com
|
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2.
砷化钾
有
砷化钾
(
gaas
),砷化铟(inas),锑化铟(insn),铝化镓(gaalas)等,输出波长大都在可见光的长波到近红外之间,医 …
www.opticsjournal.net
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基于222个网页
3.
砷化稼
如用
砷化稼
(
GaAs
)单晶作基体,从 以稼(Ga)为溶剂、砷(As)为溶质的饱和溶液中生长 GaAs外延层。其特点是设备简单,纯度 …
www.chinabaike.com
|
基于155个网页
4.
镓砷化物
霍尔发生器由一片薄传导材料制成,如
镓砷化物
(
GaAs
),这种材料在使用期间能够实现可靠稳定的性能。在5 mA的控制电流下…
mcukf.com
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5.
砷化镓单晶
1962年,天津制造出
砷化镓单晶
(
GaAs
),为研究制备其他 化合物半导体打下了基础。
1963-1964年,河北省半导体研究所 …
www.docin.com
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释义:
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全部
,
砷化镓
砷化镓
,
砷化钾
砷化钾
,
砷化稼
砷化稼
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全部
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,
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,
书面语
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,
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,
技术
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来源:
全部
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,
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全部
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,
简单
简单
,
中等
中等
,
难
难
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1.
GaAs
FET
Oscillator
stabilized
by
a
dielectric
resonator
with
a
feedback
loop
has been developed
.
本文
介绍
了
一种
环路
反馈
式
场
效应
管
介质
稳
频
振荡
器
。
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2.
when
the
feed
rate is larger,
line
speed
on
the
surface
have
little
effect
on the
roughness
of
GaAs
films
.
2
.
当
进
给
速度
较大
时
提高
线
速度
对
单晶
砷
化
镓
片
的
表面
粗糙度
影响
不大
。
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3.
The
design
of
the broadband
GaAs
PHEMT monolithic
true
-time
delay
was
described
.
简要
介绍
了
实时
延迟
线
电路
的
基本
概念
,
对
电路
设计
流程
进行
了
阐述
。
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4.
In
this paper ,
a
small
Hall
current
sensor
made
from
a
GaAs
Hall
component
is
introduced
.
介绍
了
一种
利用
砷
化
镓
霍尔
元件
设计
的
微型
霍尔
电流
传感器
。
www.dictall.com
5.
With the
progress
of the
CMOS
process
,
the CMOS
RF
process
can
compare
with
the
traditional
RF
process
like
Bipolar
,
GaAs
and
so
on
.
随着
CMOS
工艺
的
不断
进步
,
CMOS
射频
工艺
和
传统
的
射频
工艺
如
双极
型
工艺
、
GaAs
工艺
等
有
了
可
比
性
。
www.13191.com
6.
GaAs
grown
at
low
temperature
, 24 the
slowly
recovering
component
observed
in
the
?
增长
材料
温度
低
、
24日
慢慢
恢复
组件
中
观测到
的
?
。
zhidao.baidu.com
7.
When
the
feed
rate
is
small
,
the
increased
of
cutting
speed
can
significantly
improve
the
surface
roughness
of
GaAs
chips
;
当
进给
速度
较
小时
,
提高
切割
的
线
速度
可以
显著
提高
单晶
砷
化
镓
片
的
表面
粗糙度
;
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8.
Commercial
GaAs
epitaxial
layers
are
of
good
enough
quality
that
losses
due
to
material
and
interface
perturbations
are
negligible
市
售
GaAs
外延
层
的
质量
相当
高
,
故
其
材料
和
界面
起伏
引起
的
损耗
可
忽略不计
。
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9.
GaAs
semiconductor
Generator
rotator
Temperature
measuring
system
;
砷
化
镓
半导体
;
发电机
转子
;
测温
系统
;
joa.csee.org.cn
10.
gallium
arsenide
metal
semiconductor
field
effect
transistor
(
GaAs
MESFET)
砷
化
镓
金属
化
半导体
场
效应
晶体管
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